[发明专利]薄膜形成设备、保护膜形成设备以及薄膜形成方法在审
申请号: | 201610165204.X | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN105990523A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 李宰乘;西门瑄;具灿会;郑泰薰 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜形成设备、保护膜形成设备以及薄膜形成方法。所述薄膜形成设备包含覆盖衬底和驱动单元的掩模组合件,驱动单元调整掩模组合件与衬底之间的间隔距离。此外,保持衬底和掩模部分的至少一部分彼此间隔开第一间隔距离,使得第一膜形成于衬底上并且以大于第一间隔距离的第二间隔距离形成第二膜。因此,可以容易地堆叠具有彼此不同的尺寸的膜。因此,不需要具有尺寸与彼此不同的膜的尺寸对应的开口的掩模部分。此外,当形成彼此不同的膜时,不需要衬底与掩模部分之间的对准。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 形成 设备 保护膜 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜形成设备,用于将具有彼此不同的尺寸的膜堆叠在衬底上,所述薄膜形成设备包括:腔室,其具有其中形成膜的空间;支撑体,其安置于所述腔室中以将所述衬底安放在其上部部分上;掩模组合件,其安置于所述支撑体上以覆盖所述衬底的至少一部分;以及驱动单元,其经配置以调整所述掩模组合件的至少一部分与所述衬底之间的间隔距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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