[发明专利]一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法有效

专利信息
申请号: 201610165552.7 申请日: 2016-03-22
公开(公告)号: CN105655248B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 杜志民;王一宇;郭立洲;李妍 申请(专利权)人: 河南芯睿电子科技有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L23/544
代理公司: 新乡市平原专利有限责任公司 41107 代理人: 路宽
地址: 453003 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法,具体步骤为:首先将非抛光<111>晶向单晶硅片在20~30℃的稀氟氢酸溶液中浸泡3~20min以去除硅片对准标记区的氧化层,而不去除对准标记区周围的氧化层,冲水清洗干净;然后配制碱腐蚀液,将上述清洗干净的硅片在40~75℃的碱腐蚀液中腐蚀1~18min,加兆声去除反应气泡或持续抖动防止气泡凝聚,再冲洗水清洗干净即在非抛光<111>晶向单晶硅片上腐蚀出光亮密集的金字塔结构。本发明通过调整碱腐蚀液的配比实现了不同大小和密集度的金刚石结构,既可以避免硅片表面形成不规则的腐蚀印记,又可以改变腐蚀区域的光泽度,解决了工艺使用大尺寸硅片抛光效率低,难度大,成本高的问题。
搜索关键词: 非抛光 去除 光刻对准标记 单晶硅 清洗 单晶硅片 碱腐蚀液 基器件 碱腐蚀 氧化层 腐蚀 晶向 制碱 硅片对准标记 大尺寸硅片 金刚石结构 金字塔结构 对准标记 腐蚀区域 硅片表面 抛光效率 稀氟氢酸 不规则 冲洗水 腐蚀液 光泽度 密集度 抖动 硅片 冲水 配比 加工 浸泡 印记 凝聚
【主权项】:
一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法,其特征在于具体步骤为:首先将非抛光<111>晶向单晶硅片在20~30℃的稀氟氢酸溶液中浸泡3~20min以去除硅片对准标记区的氧化层,而不去除对准标记区周围的氧化层,冲水清洗干净,所述的稀氟氢酸溶液中氟氢酸与水的体积比为1:10~1:4;然后配制碱腐蚀液,其中质量浓度为30%~40%的氢氧化铵溶液、去离子水与异丙醇按照1:10:0.25~1:3:0.25的体积比例进行配置或质量浓度为30%~40%的氢氧化铵溶液与去离子水按照1:10~1:3的体积比例进行配置,将上述清洗干净的硅片在40~75℃的碱腐蚀液中腐蚀1~18min,加兆声波去除反应气泡或持续抖动防止气泡凝聚,再冲洗水清洗干净单晶硅片,从而在非抛光<111>晶向单晶硅片上腐蚀出光亮密集的金字塔结构。
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