[发明专利]一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法有效
申请号: | 201610165552.7 | 申请日: | 2016-03-22 |
公开(公告)号: | CN105655248B | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 杜志民;王一宇;郭立洲;李妍 | 申请(专利权)人: | 河南芯睿电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L23/544 |
代理公司: | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人: | 路宽 |
地址: | 453003 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法,具体步骤为:首先将非抛光<111>晶向单晶硅片在20~30℃的稀氟氢酸溶液中浸泡3~20min以去除硅片对准标记区的氧化层,而不去除对准标记区周围的氧化层,冲水清洗干净;然后配制碱腐蚀液,将上述清洗干净的硅片在40~75℃的碱腐蚀液中腐蚀1~18min,加兆声去除反应气泡或持续抖动防止气泡凝聚,再冲洗水清洗干净即在非抛光<111>晶向单晶硅片上腐蚀出光亮密集的金字塔结构。本发明通过调整碱腐蚀液的配比实现了不同大小和密集度的金刚石结构,既可以避免硅片表面形成不规则的腐蚀印记,又可以改变腐蚀区域的光泽度,解决了工艺使用大尺寸硅片抛光效率低,难度大,成本高的问题。 | ||
搜索关键词: | 非抛光 去除 光刻对准标记 单晶硅 清洗 单晶硅片 碱腐蚀液 基器件 碱腐蚀 氧化层 腐蚀 晶向 制碱 硅片对准标记 大尺寸硅片 金刚石结构 金字塔结构 对准标记 腐蚀区域 硅片表面 抛光效率 稀氟氢酸 不规则 冲洗水 腐蚀液 光泽度 密集度 抖动 硅片 冲水 配比 加工 浸泡 印记 凝聚 | ||
【主权项】:
一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法,其特征在于具体步骤为:首先将非抛光<111>晶向单晶硅片在20~30℃的稀氟氢酸溶液中浸泡3~20min以去除硅片对准标记区的氧化层,而不去除对准标记区周围的氧化层,冲水清洗干净,所述的稀氟氢酸溶液中氟氢酸与水的体积比为1:10~1:4;然后配制碱腐蚀液,其中质量浓度为30%~40%的氢氧化铵溶液、去离子水与异丙醇按照1:10:0.25~1:3:0.25的体积比例进行配置或质量浓度为30%~40%的氢氧化铵溶液与去离子水按照1:10~1:3的体积比例进行配置,将上述清洗干净的硅片在40~75℃的碱腐蚀液中腐蚀1~18min,加兆声波去除反应气泡或持续抖动防止气泡凝聚,再冲洗水清洗干净单晶硅片,从而在非抛光<111>晶向单晶硅片上腐蚀出光亮密集的金字塔结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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