[发明专利]一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法

摘要

本发明公开了一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法，具体步骤为：首先将非抛光<111>晶向单晶硅片在20~30℃的稀氟氢酸溶液中浸泡3~20min以去除硅片对准标记区的氧化层，而不去除对准标记区周围的氧化层，冲水清洗干净；然后配制碱腐蚀液，将上述清洗干净的硅片在40~75℃的碱腐蚀液中腐蚀1~18min，加兆声去除反应气泡或持续抖动防止气泡凝聚，再冲洗水清洗干净即在非抛光<111>晶向单晶硅片上腐蚀出光亮密集的金字塔结构。本发明通过调整碱腐蚀液的配比实现了不同大小和密集度的金刚石结构，既可以避免硅片表面形成不规则的腐蚀印记，又可以改变腐蚀区域的光泽度，解决了工艺使用大尺寸硅片抛光效率低，难度大，成本高的问题。

主权项

一种非抛光单晶硅基器件光刻对准标记的碱腐蚀加工方法，其特征在于具体步骤为：首先将非抛光<111>晶向单晶硅片在20~30℃的稀氟氢酸溶液中浸泡3~20min以去除硅片对准标记区的氧化层，而不去除对准标记区周围的氧化层，冲水清洗干净，所述的稀氟氢酸溶液中氟氢酸与水的体积比为1:10~1:4；然后配制碱腐蚀液，其中质量浓度为30%~40%的氢氧化铵溶液、去离子水与异丙醇按照1:10:0.25~1:3:0.25的体积比例进行配置或质量浓度为30%~40%的氢氧化铵溶液与去离子水按照1:10~1:3的体积比例进行配置，将上述清洗干净的硅片在40~75℃的碱腐蚀液中腐蚀1~18min，加兆声波去除反应气泡或持续抖动防止气泡凝聚，再冲洗水清洗干净单晶硅片，从而在非抛光<111>晶向单晶硅片上腐蚀出光亮密集的金字塔结构。