[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201610166425.9 | 申请日： | 2016-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN105633171A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 田慧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置。该方案中，栅极为复合金属层的结构。其中，该复合金属层中靠近栅绝缘层的第一金属层中有掺杂离子，能够对有源层引入应力，从而改变有源层中沟道区的能带结构，进而改变载流子的有效质量和各向异性散射等，进而提高载流子的迁移率。而该复合金属层中远离栅绝缘层未掺杂有离子的金属层，可以有效保证整个栅极的电阻值。该方案中，通过对薄膜晶体管中的栅极的改进达到了提升载流子迁移率的目的，无需增加额外的结构，使得生产过程中的工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，和位于所述衬底基板上的源极、漏极、栅极、栅绝缘层和有源层；其中，所述栅绝缘层设置在所述栅极与所述有源层之间；所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接；其特征在于：所述栅极为复合金属层；所述复合金属层包括至少一层靠近所述栅绝缘层的具有掺杂离子的第一金属层，和至少一层远离所述栅绝缘层的第二金属层；其中，所述具有掺杂离子的第一金属层用于对所述有源层引入应力。
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