[发明专利]磁场传感器有效
| 申请号： | 201610167299.9 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105785290B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | W.拉贝格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王洪斌;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于提供磁场传感器的传感器信号的方法，其中，所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中，其中所述全桥电路的对角线中的两个XMR元件具有相同的形状各向异性，并且其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件具有不同的形状各向异性，其中所述方法包括：检测所述全桥电路的桥信号，其中所述桥信号包括一个桥信号值序列；检测所述至少四个XMR元件当中的一个的单元件信号，其中所述单元件信号包括一个单元件信号值序列；以及如果桥信号值处在预定义桥信号值范围内并且如果单元件信号值处在预定义单元件信号值范围内，则提供所述桥信号以作为传感器信号。
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