[发明专利]一种提高指令高速缓冲存储器命中率的装置及方法有效
申请号: | 201610167318.8 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN105868126B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 李泉泉;郭二辉;洪一 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | G06F12/0877 | 分类号: | G06F12/0877;G06F12/0893 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 | 代理人: | 吴娜 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高指令高速缓冲存储器命中率的装置,该装置由指令高速缓冲存储器控制器、用于存储内核地址中标志位的标志存储器以及用于存储指令块数据的数据存储器组成,其中,所述指令高速缓冲存储器控制器包括:指令高速缓冲存储器控制电路、零碎指令块检测电路、第一或门D2和第二或门D3。本发明还公开了一种提高指令高速缓冲存储器命中率的方法。本发明采用的零碎指令块检测电路用于在从主存中返回的指令块为零碎指令块时禁止该指令块写入指令高速缓冲存储器中。本发明减少了指令高速缓冲存储器的替换操作,提高了指令高速缓冲存储器的命中率,从而提高了处理器的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 指令 高速 缓冲存储器 命中率 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高指令高速缓冲存储器命中率的装置,其特征在于:该装置由指令高速缓冲存储器控制器、用于存储内核地址中标志位的标志存储器以及用于存储指令块数据的数据存储器组成,其中,所述指令高速缓冲存储器控制器包括:指令高速缓冲存储器控制电路,用于控制所述标志存储器和所述数据存储器的读写操作;输出第二写控制信号和第三写控制信号;零碎指令块检测电路,用于在从主存中返回的指令块为零碎指令块时,禁止该指令块写入指令高速缓冲存储器中;输出第一写控制信号;所述零碎指令块是指,包含的指令全部为零碎指令的指令块;所述零碎指令是指在整个应用程序执行过程中只执行一次的指令;第一或门D2,用于将第二写控制信号和第一写控制信号进行或操作;输出与所述标志存储器的写控制信号相连接;第二或门D3,用于将第三写控制信号和第一写控制信号进行或操作;输出与所述数据存储器的写控制信号相连接。
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