[发明专利]化合物半导体基材的表面处理方法及外延结构有效
| 申请号： | 201610168036.X | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105810578B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李春江 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化合物半导体基材的表面处理方法及外延结构。该表面处理方法包括：朝化合物半导体基材的表面高压喷射含有磨料的浆体，以在化合物半导体基材的表面形成不规则的凹凸结构。该外延结构包括采用该表面处理方法得到的化合物半导体基材以及在化合物半导体基材的凹凸结构上横向生长的化合物半导体薄膜，其中，化合物半导体基材与化合物半导体薄膜为异质结构。通过上述方式，本发明能够简化表面处理工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 基材 表面 处理 方法 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体基材的表面处理方法，其特征在于，包括：朝化合物半导体基材的表面高压喷射含有磨料的浆体，以在所述化合物半导体基材的表面形成不规则的凹凸结构，磨料颗粒在化合物半导体基材表面进行研磨作用产生凹凸结构；在所述化合物半导体基材的凹凸结构上横向生长的化合物半导体薄膜与所述化合物半导体基材为异质结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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