[发明专利]一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器

摘要

本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，提供一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、输入端支撑梁、输出端支撑梁、输入端支撑台、输出端支撑台及基底，所述振动块通过支撑梁与支撑台电气连通，支撑台设置于基底上，支撑台上设置外接金属电极，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区构成，所述输入端P型半导体区位于振动块与输入端支撑梁连接处，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，压电层部分覆盖振动块，开设缺口以部分露出输入端P型半导体区，压电层上金属电极通过过渡金属电极连接输入端P型半导体区。本发明结构能够大大减小支撑梁宽度，有效的提高谐振器的品质因数Q。

主权项

1.一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、输入端支撑梁(2‑1)、输出端支撑梁(2‑2)、输入端支撑台(5‑1)、输出端支撑台(5‑2)及基底，所述振动块通过输入端、输出端支撑梁(2‑1、2‑2)分别与对应输入端、输出端支撑台(5‑1、5‑2)电气连通，所述输入端、输出端支撑台(5‑1、5‑2)对应设置于基底(8‑1、8‑2)上，输入端、输出端支撑台(5‑1、5‑2)上分别设置外接金属电极(6‑1、6‑2)，输入端、输出端支撑台与基底之间均设有绝缘氧化层(7‑1、7‑2)；其特征在于，所述振动块由输入端P型半导体区(1‑1)、N型半导体区(1‑2)构成，所述输入端P型半导体区(1‑1)位于振动块与输入端支撑梁(2‑1)连接处，振动块的其余区域为N型半导体区(1‑2)、且N型半导体区(1‑2)与输出端支撑梁(2‑2)，连接振动块的支撑梁分别与其相连的振动块对应区采用相同掺杂类型，振动块上覆盖压电层(3)，所述压电层(3)部分覆盖振动块、且在位于输入端P型半导体区(1‑1)上方开设缺口以部分露出输入端P型半导体区，压电层(3)上设置金属电极(4)，所述压电层(3)缺口处设置连接金属电极(4)和输入端P型半导体区(1‑1)的过渡金属电极(9)；所述压电层(3)将金属电极(4)与振动块的N型半导体区(1‑2)隔开，形成输入与输出的隔离。