[发明专利]一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器有效

专利信息
申请号: 201610168651.0 申请日: 2016-03-22
公开(公告)号: CN105871351B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 鲍景富;李昕熠;秦风;张超;张翼;张亭 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/56;H03H9/58
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 李明光
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电子科学技术领域,涉及MEMS压电谐振器,具体提供一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器,包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底,所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区和输出端P型半导体区构成,所述输入端P型半导体区、输出端P型半导体区分别位于振动块的对角,连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型,振动块上覆盖压电层,输入、输出金属电极置于压电层上,所述压电层部分覆盖振动块,使得输入金属电极与输入端P型半导体区电气连通,输出金属电极与输出端P型半导体区电气连通。本发明结构能够大大减小了由传统支撑梁较大宽度带来的锚点损耗,有效的提高了谐振器的品质因数Q。
搜索关键词: 一种 支撑 品质因数 压电 谐振器
【主权项】:
1.一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器,包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底,所述振动块通过四条支撑梁(2‑1、2‑2、2‑3、2‑4)分别与对应支撑台(5‑1、5‑2、5‑3、5‑4)电气连通,所述支撑台对应设置于基底(8‑1、8‑2)上,支撑台上分别设置外接金属电极(6‑1、6‑2、6‑3、6‑4),支撑台与基底之间设有绝缘氧化层(7‑1、7‑2);其特征在于,所述振动块由输入端P型半导体区(1‑1)、N型半导体区(1‑2)和输出端P型半导体区(1‑3)构成,所述输入端P型半导体区(1‑1)、输出端P型半导体区(1‑3)分别位于振动块的对角,连接振动块的支撑梁分别与其相连的振动块对应区采用相同掺杂类型,振动块上覆盖压电层(3),输入、输出金属电极(4‑1、4‑2)置于压电层上,所述压电层(3)部分覆盖振动块,使得输入金属电极(4‑1)与输入端P型半导体区(1‑1)电气连通,输出金属电极(4‑2)与输出端P型半导体区(1‑3)电气连通;所述压电层(3)将输入、输出金属电极(4‑1、4‑2)与振动块的N型半导体区域(1‑2)隔开,形成金属与地的隔离。
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