[发明专利]一种半导体材料的外延方法有效
| 申请号： | 201610168851.6 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105803523B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 段瑞飞;杜泽杰;冉军学;曾一平 | 申请（专利权）人： | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;C23C16/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本专利公开了一种半导体材料的外延方法，包括：步骤101：使用第一设备在衬底上生长半导体材料缓冲层；步骤102：将生长有缓冲层的衬底从所述第一设备中取出，对所述生长有缓冲层的衬底进行中间处理；步骤103：使用第二设备在所述缓冲层上生长同一半导体材料外延层；其中，所述第一设备在环境控制能力上高于所述第二设备。本专利采用两种不同类型的设备来生产半导体芯片，通过较高质量的第一设备生产出高质量的缓冲层，在对所述缓冲层进行中间处理后，再使用交底质量的第二设备生产外延层，这样由于缓冲层质量较高即便是在质量较底的第二设备中生长外延层也可以得到高质量的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料的生产方法，其特征在于，所述方法包括：步骤101：使用第一设备在衬底上生长半导体材料缓冲层；步骤102：将生长有缓冲层的衬底从所述第一设备中取出，对所述生长有缓冲层的衬底进行中间处理；步骤103：使用第二设备在所述缓冲层上生长半导体材料外延层；其中，所述第一设备在环境控制能力上高于所述第二设备；所述第一设备在热场控制能力、流场控制能力、气源比例控制能力中的一种或多种上高于所述第二设备。
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