[发明专利]半导体装置以及电源供给方法有效
申请号: | 201610169094.4 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN106024777B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 长友茂 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/088;H03K19/0175;H03K19/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种不具备复杂的电路结构,而能够起动不同的驱动电压的被驱动用半导体装置的半导体装置以及电源供给方法。控制用半导体装置(10)具备:端子(T1),其连接直至输出动作可能电压V |
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搜索关键词: | 半导体 装置 以及 电源 供给 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:输入端子,其连接有电源,所述电源的直至输出预先决定的电压值以上的电压的时间随外部环境而变动;电源部,其被从所述输入端子供给电源;电源供给端子,其向被驱动用半导体装置供给电源;开关,其控制所述电源部与所述电源供给端子的连接;以及电压调整部,其被从所述输入端子供给电源,并向所述电源供给端子供给电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的