[发明专利]一种单相方钴矿结构NiP3的制备方法有效
| 申请号： | 201610169416.5 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105655585B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 胡俊华;刘盼盼;曹国钦;王鹏;邵国胜;毛景 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/139;H01L35/12;H01L35/14 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 450001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单相方钴矿结构NiP3的制备方法，属于高磷的过渡金属磷化物材料技术领域。该方法包括：将硫化镍、红磷粉按照镍、磷原子比1:4～1:5混合，于温度670～700℃、真空条件下烧结80～100h，即得。本发明以硫化镍和红磷为原料制备单相方钴矿结构的NiP3，工艺简单、操作简便，原料廉价易得且成本较低，适于规模化生产及应用。合成的NiP3不仅是良好的热电材料，也是比较有潜力的新型锂电池负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 单相方钴矿 硫化镍 红磷 制备 过渡金属磷化物 材料技术领域 规模化生产 新型锂电池 负极材料 热电材料 原料制备 真空条件 烧结 磷原子 高磷 合成 应用 | ||
【主权项】：
1.单相方钴矿结构NiP3的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将硫化镍、红磷粉按照镍、磷原子比1:4～1:5混合，于温度670～700℃、真空条件下烧结80～100h，即得。
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