[发明专利]双极晶体管的缩放有效
| 申请号： | 201610169497.9 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105975648B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | A.J.约瑟夫;R.M.马拉迪;J.A.斯林克曼 | 申请（专利权）人： | 格罗方德股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/762;H01L21/8249;H01L27/02;H01L29/66;H01L29/732 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种双极晶体管结构、设计与制造双极晶体管的方法、设计具有双极晶体管的电路的方法。设计该双极晶体管的该方法包括：选择双极晶体管(图18的240)的初始设计；缩放该双极晶体管的该初始设计，以产生该双极晶体管的已缩放设计(245)；根据该缩放之后该双极晶体管的发射极的尺寸，决定是否需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿(250)；以及若需要该双极晶体管的该已缩放设计的应力补偿，则相对于该已缩放设计的发射极布局阶层的布局，调整该已缩放设计的沟槽隔离布局阶层的布局(255)，以产生该双极晶体管的应力补偿缩放设计(260)。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 缩放 | ||
【主权项】：
1.一种形成双极晶体管的方法，包括：在基板内形成沟槽，并且用电介质材料填充所述沟槽，以形成定义所述基板内集电极周边的沟槽隔离；在所述集电极上形成基极；在所述基极内形成发射极；从所述沟槽中移除所述电介质材料的全部或一部分；以及在所述基板、所述基极以及所述发射极的暴露区上以及所述沟槽上形成介电帽层；所述帽层密封所述沟槽的上区，并且在所述集电极的所述周边四周形成空隙。
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