[发明专利]一种透明薄膜变容管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610169691.7 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106409509A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴木营;何林;杨雷 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06;H01G13/00;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司44215 | 代理人： | 王雪镅 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子信息材料与元器件的技术领域，特别是涉及一种透明薄膜变容管及其制备方法，该透明薄膜变容管包括衬底、沉积于所述衬底的锡钛酸钡薄膜、以及与所述锡钛酸钡薄膜连接的电极。其中，锡钛酸钡薄膜中锡钛酸钡的化学式为BaSn0.15Ti0.85O3。本发明所制得的透明薄膜变容管具有介电调谐率大、介电损耗低、性质稳定且透明性高的优点。该透明薄膜变容管的制备方法，包括步骤一，制备锡钛酸钡靶材；步骤二，脉冲激光沉积锡钛酸钡薄膜；步骤三，制备电极。该透明薄膜变容管的制备方法使得所制备的薄膜变容管的结晶性好，且薄膜变容管的组分均匀，薄膜变容管的组分与靶材组分更加接近。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 薄膜 变容管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明薄膜变容管，其特征在于：包括衬底、沉积于所述衬底的锡钛酸钡薄膜、以及与所述锡钛酸钡薄膜连接的电极。
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