[发明专利]磁传感器

摘要

磁传感器具备MR元件以及沿第1方向隔开间隔配置并协同地产生偏置磁场的2个偏置磁场产生部。各偏置磁场产生部具有在正交于第1方向的第2方向上层叠的铁磁性层和反铁磁性层。与MR元件交叉且垂直于第2方向的假想平面上，从第2方向看位于2个偏置磁场产生部之间的元件配置区域被形成。元件配置区域包含中央区域和2个端部区域。MR元件被配置为在假想平面上包含于中央区域内。

主权项

1.一种磁传感器，其特征在于，是具备检测检测对象的磁场的至少一个磁检测元件、以及协同地产生对所述至少一个磁检测元件施加的偏置磁场的第1偏置磁场产生部和第2偏置磁场产生部的磁传感器，所述第1偏置磁场产生部与所述第2偏置磁场产生部沿第1方向隔开规定的间隔而配置，所述第1偏置磁场产生部以及所述第2偏置磁场产生部分别包含沿正交于所述第1方向的第2方向层叠的铁磁性层和第1反铁磁性层，所述铁磁性层具有位于所述第2方向的两端的第1面和第2面，所述第1反铁磁性层与所述铁磁性层的所述第1面相接并与所述铁磁性层交换耦合，所述第1偏置磁场产生部与所述第2偏置磁场产生部分别具有位于在与所述第1方向和所述第2方向的两者正交的第3方向上互相相反的位置的第1端和第2端，在与所述至少一个磁检测元件交叉并垂直于所述第2方向的假想平面上，在定义从所述第2方向看时通过所述第1偏置磁场产生部以及所述第2偏置磁场产生部的各个的所述第1端的第1假想直线、和从所述第2方向看时通过所述第1偏置磁场产生部以及所述第2偏置磁场产生部的各个的所述第2端的第2假想直线时，以在所述假想平面上，从所述第2方向看时位于所述第1偏置磁场产生部与所述第2偏置磁场产生部之间并且位于所述第1假想直线和所述第2假想直线之间的元件配置区域被形成的方式，配置所述第1偏置磁场产生部以及所述第2偏置磁场产生部，所述元件配置区域包含分别具有面积的第1端部区域、第2端部区域和中央区域，所述第1端部区域位于相对于所述中央区域更靠近所述第1假想直线的位置，所述第2端部区域位于相对于所述中央区域更靠近所述第2假想直线的位置，所述中央区域位于所述第1端部区域和所述第2端部区域之间，经由与所述第1假想直线平行的第1边界线而与所述第1端部区域邻接，并且经由与所述第2假想直线平行的第2边界线而与所述第2端部区域邻接，所述至少一个磁检测元件被配置为，在所述假想平面上所述至少一个磁检测元件的全体被包含于所述中央区域内，所述第1假想直线和所述第1边界线之间的距离与所述第2假想直线和所述第2边界线之间的距离均为所述第1偏置磁场产生部和所述第2偏置磁场产生部的间隔的30%。