[发明专利]氧化亚铜纳米粒子增强液晶的电光性能的方法

摘要

本发明公开了一种Cu2O纳米粒子增强液晶的电光性能的方法，属于液晶显示技术领域。本发明分别将Cu2O纳米介孔球及同尺寸的Cu2O纳米球以质量分数0.10％～0.50％掺杂进胆甾相液晶N*‑LCs中形成纳米材料与液晶复合物，分别将Cu2O MPS及同尺寸的Cu2O NS以质量分数0.001％～0.200％掺杂进向列相液晶5CB中形成纳米材料与液晶复合物。通过制备的液晶池对其进行电光性能测试。本发明通过在液晶中掺杂少量的Cu2O纳米材料可实现对胆甾相液晶和向列相液晶驱动电压的大幅度降低，介孔球的降幅比纳米球的要大。

主权项

Cu2O纳米粒子增强液晶的电光性能的方法，其特征在于：具体通过如下步骤实现：第一步，Cu2O纳米介孔球和Cu2O纳米球的制备；第二步，分别将Cu2O纳米介孔球及同尺寸的Cu2O纳米球以质量分数0.10％～0.50％掺杂进胆甾相液晶中形成纳米材料与液晶复合物，分别称为复合物A和复合物B；分别将Cu2O纳米介孔球及同尺寸的Cu2O纳米球以质量分数0.001％～0.200％掺杂进向列相液晶中形成纳米材料与液晶复合物，分别称为复合物C和复合物D；第三步，液晶池的制备；第四步，电光性能测试，掺杂纳米粒子Cu2O纳米介孔球和纳米球后对液晶电光性能的增强效果如下：对胆甾相液晶驱动电压的降幅达70％；掺杂纳米介孔球后，胆甾相液晶的第一阈值电压降幅达75.16％，第二阈值电压降幅达71.56％，饱和电压最大降幅达64.73％，而纳米球对胆甾相液晶的驱动电压降幅为64.84％～36.95％；掺杂纳米介孔球后，对向列相液晶阈值电压与饱和电压最大降幅分别为21.30％和36.10％，而掺杂纳米球后，向列相液晶的阈值电压及饱和电压分别下降21.30％和22.46％。