[发明专利]一种Er3+/Nd3+共掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法

摘要

本发明公开了一种Er³⁺/Nd³⁺共掺杂Na₅Lu₉F₃₂单晶体及其生长方法。在Na₅Lu₉F₃₂单晶体中掺入Er³⁺与Nd³⁺离子，Nd³⁺作为敏化离子。该单晶体的OH^‑离子的含量少，在2.7μm波段没有吸收，它的最大声子能量低(440cm^‑1)。在800nm激光二极管激发下，获得具有大幅增强2.7μm发光效应。用加热温场上移法进行晶体生长具有设备简单、实用性强等特性。该技术可克服由于机械传动对晶体造成的色带、生长条纹等缺陷，有利于获得优质单晶体。

主权项

一种Er³⁺/Nd³⁺共掺杂Na₅Lu₉F₃₂单晶体，其特征在于该Na₅Lu₉F₃₂单晶体是一种稀土离子Er³⁺/Nd³⁺共掺杂的单晶体，单晶体的化学分子式为Na₅Lu_(9‑x‑y)Er_xNd_yF₃₂，其中0.045≤x≤0.45，0.0225≤y≤0.315，且x∶y＝1∶0.5～0.7。