[发明专利]用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法有效
| 申请号： | 201610171228.6 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106026952B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 赵笛贤;P·雷纳尔特;M·F·基夫尼 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F3/193 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 在此提供一种用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法。共源共栅放大器可使用与自举的公共栅极级共源共栅的抵消的公共源极级来提供具有改善的性能、增益、稳定性和可靠性的放大器拓扑结构。此外，公共栅极级的自举的电容器可在共源共栅晶体管的源极指状物和漏极指状物之间形成图案，由此改进器件性能。作为RF功率放大器工作的情况下，具有自举公共栅极级的采用抵消的公共源极级的单级共源共栅放大器可为E带的信号提供多于15dB的功率增益。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 针对 毫米波 功率 应用 共源共栅 放大器 拓扑 结构 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子设备，包括：放大器，包括：第一电路，其中第一电路被配置成接收输入信号，其中第一电路具有栅漏寄生电容的平衡；第二电路，其中第二电路被配置成产生放大的信号，其中第一电路和第二电路共同形成共源共栅电路；第一电路和第二电路之间的第一节点；以及其中第二电路至少具有第一电容器，第一电容器的电容量被定制成使得在放大器的预期工作频带上第一电容器被配置成与处于第一节点和AC接地之间的第一寄生电容共振，从而实质地抵消第一寄生电容。
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