[发明专利]一种高电子迁移率晶体管结构在审
| 申请号： | 201610171256.8 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105609553A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈伟梵;张明伦 | 申请（专利权）人： | 昆山永续智财技术服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L25/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215301 江苏省昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管结构，包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管，及一颗双向高压导通保护二极管；所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。本发明在使用时，遇到突波或浪涌，产生了额外的过电压，在损害功率器件之前，启动了双向高压导通保护二极管保护机制，将额外电流导出，进而保护了氮化镓晶体管，可解决氮化镓晶体管在使用时因突波或浪涌产生的器件过电压或雪崩崩溃现象而使器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，所述的高电子迁移率晶体管结构包括一颗氮化镓材料作成的氮化镓晶体管，及一颗双向高压导通保护二极管；所述氮化镓晶体管与所述双向高压导通保护二极管合封于单一封装体内。
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