[发明专利]发光材料[Cd(tibc)2]n及合成方法有效
申请号: | 201610171264.2 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN105801504B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 张淑华;张海洋;肖瑜 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C07D249/14 | 分类号: | C07D249/14;C09K11/06 |
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地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种荧光材料[Cd(tibc)2]n及合成方法。分子式为C18H10CdBr4N8O2,分子量为802.01,Htibc为3,5‑二溴水杨醛缩4‑氨基‑1,2,4三氮唑希夫碱。将分析纯的3,5‑二溴水杨醛和分析纯的4‑氨基‑1,2,4‑三氮唑,溶于分析纯乙醇溶液中,加热回流并搅拌,过滤,洗涤三次,干燥,得到配体Htibc。将干燥后的Htibc和分析纯乙酸镉溶于分析纯N,N’‑二甲基甲酰胺中,加入蒸馏水,在80℃烘箱中静置三天。[Cd(tibc)2]n在450nm的入射光照射下产生1516a.u.强度的514nm的荧光,在800V的光电倍增管,3倍的放大系数下,在过硫酸钾溶液中,产生了2510a.u.强度的且稳定的发光。本发明工艺简单、成本低廉、化学组分易于控制、重复性好且产量高。 | ||
搜索关键词: | 发光 材料 cd tibc sub 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种发光材料[Cd(tibc)2]n,其特征在于[Cd(tibc)2]n的分子式为:C18H10CdBr4N8O2,分子量为:802.01,Htibc为3,5‑二溴水杨醛缩4‑氨基‑1,2,4三氮唑希夫碱,晶体结构数据见表一,键长键角数据见表二;[Cd(tibc)2]n在450nm的入射光照射下产生1516a.u.强度的514nm的荧光,在800V的光电倍增管,3倍的放大系数下,在导电介质过硫酸钾溶液中,产生2510a.u.强度的且稳定的发光;表一:[Cd(tibc)2]n的晶体学参数a R1=Σ||Fo|–|Fc||/Σ|Fo|.b wR2=[Σw(|Fo2|–|Fc2|)2/Σw(|Fo2|)2]1/2表二:[Cd(tibc)2]n的键长和键角°Symmetry codes:(i)y+1,x‑1,‑z+1;(ii)x,y‑1,z;(iii)y,x‑1,‑z+1;(iv)x,y+1,z;所述[Cd(tibc)2]n的合成方法具体步骤为:将2.79g分析纯的3,5‑二溴水杨醛和0.841g分析纯的4‑氨基‑1,2,4‑三氮唑,溶于30mL分析纯乙醇溶液中,加热回流并搅拌两个小时后有固体析出,过滤,用10mL分析纯乙醇洗涤三次,放置50℃下干燥,得到配体Htibc;将0.056‑0.112g干燥后的Htibc和0.054‑0.108g分析纯乙酸镉溶于5mL分析纯N,N’‑二甲基甲酰胺中,置于微反应瓶中,再加入5mL蒸馏水,在80℃烘箱中静置三天,有黄色晶体生成即[Cd(tibc)2]n。
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