[发明专利]一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关

摘要

本发明公开了一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关，由N沟道的具有超低导通压降的VDMOS、驱动控制模块和电容组成，VDMOS为核心部分，C+接电容正端，C‑接电容负端，G接VDMOS栅级，D+接VDMOS阳极，D‑接VDMOS阴级，该电路具有旁路开关能力。电容和驱动控制模块用于VDMOS的驱动控制，而该结构包括光伏电池元胞的旁路开关的VDMOS，当光伏电池元胞中出现热点时，电流就会经旁路开关流过而不会阻断，在一切都正常的情况下旁路开关不会起作用的。本设计的VDMOS，仿真得出旁路开关的导通压降可以降低到50mV以下，反向漏电流更小，功耗更低，温度特性更好，寿命更长和特性更稳定。

主权项

一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关，其特征在于：包括1只N沟道的VDMOS、一个驱动控制模块和一个电容C1；VDMOS作为核心部分，所述驱动控制模块的C+极接电容正端，C‑极接电容负端，G极接VDMOS栅级，D‑极接VDMOS阳极，D+极接VDMOS阴级；所述驱动控制模块包括单芯片处理器CMP、驱动器、电荷泵以及振荡器OSC；所述电荷泵由若干串联的子电荷泵组成，子电荷泵电路结构内部包括一个电容C2和一个电容C3，其中电容C2和电容C3的负端分别接两个反相的震荡器信号；所述VDMOS旁路开关的VDMOS、驱动控制模块以及电容C1是分立器件，或者VDMOS、驱动控制模块以及电容C1集成到同一片硅片上，或者VDMOS为分立器件，而驱动控制模块和电容C1集成在同一片硅片上；开关中的VDMOS为横向结构的VDMOS或纵向结构的LDMOS。