[发明专利]一种压力传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201610171590.3 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105738025A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 聂萌;安跃;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;G01L1/18;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压力传感器，包括硅衬底、氧化硅掩埋层、单晶硅层、单晶硅外延层、压阻条、刻蚀孔、真空密封腔和隔离区；氧化硅掩埋层生长在硅衬底的上方，单晶硅层生长在氧化硅掩埋层的上方，刻蚀孔位于硅衬底、氧化硅掩埋层和单晶硅层中，真空密封腔位于硅衬底中，单晶硅外延层生长在单晶硅层上方以及刻蚀孔中；压阻条为四个，四个压阻条位于单晶硅层和单晶硅外延层中；隔离区位于压阻条之间，四个压阻条之间构成惠斯通电桥。还公开了传感器的制备方法。该压力传感器及制备方法，解决体微加工增大传感器厚度和由于背部梯形空腔使得传感器横向尺寸变大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，其特征在于，该压力传感器包括硅衬底（1）、氧化硅掩埋层（2）、单晶硅层（3）、单晶硅外延层（4）、压阻条（5）、刻蚀孔（6）、真空密封腔（7）和隔离区（9），氧化硅掩埋层（2）生长在硅衬底（1）的上方，单晶硅层（3）生长在氧化硅掩埋层（2）的上方，刻蚀孔（6）位于硅衬底（1）、氧化硅掩埋层（2）和单晶硅层（3）中，真空密封腔（7）位于硅衬底（1）中，刻蚀孔（6）位于真空密封腔（7）正上方，单晶硅外延层（4）生长在单晶硅层（3）上方以及刻蚀孔（6）中；位于真空密封腔（7）正上方的硅衬底（1）、氧化硅掩埋层（2）、单晶硅层（3）和单晶硅外延层（4）形成可动敏感薄膜层（8）；压阻条（5）为四个，且四个压阻条（5）位于单晶硅层（3）和单晶硅外延层（4）中；隔离区（9）位于压阻条（5）之间，将四个压阻条（5）相互隔离；隔离区（9）的底面为氧化硅掩埋层（2）的顶面；四个压阻条（5）之间构成惠斯通电桥；压阻条（5）和隔离区（9）均位于可动敏感薄膜层（8）中。
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