[发明专利]一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610171960.3 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105779939B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 高斐;向玉春;胡西红;姜杰轩;李娟;武慧君;郑逍遥 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法，该方法选择掺杂锂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材，通过选择合适的锂掺杂浓度，即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜，其中金属锂的掺杂量为2wt％时，得到的p型氧化铜薄膜的电阻率为7.56Ω·cm、载流子浓度为7.39×1019cm‑3。本发明操作简单，适用于低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的工业化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 载流子 浓度 氧化铜 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法，其特征在于：称取氧化铜粉末和金属锂粉末，放于直径为2 cm的金属模具中用压片机在压强为10 MPa下压靶，得到掺杂1wt%～4wt%锂的氧化铜靶；将衬底和掺杂1wt%～4wt%锂的氧化铜靶放入激光脉冲沉积设备的沉积室内，衬底与氧化铜靶的距离为4～8 cm，将沉积室抽真空至1×10‑3 Pa以下，加热衬底至400～550 ℃，打开氧气通气阀，向沉积室通入氧气，调节沉积室的压强为8～12 Pa，然后用KrF准分子脉冲激光轰击氧化铜靶，在衬底上沉积氧化铜薄膜，所述的脉冲激光的能量模式为恒能模式，激光能量密度为150 mJ/Plus，脉冲激光的频率为3～8 Hz，沉积时间为1～2小时，沉积结束后，自然冷却至室温，得到p型氧化铜薄膜。
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