[发明专利]组合物和将厚环境阻挡涂层沉积在CMC叶尖上的方法在审
| 申请号： | 201610172146.3 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106007809A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | G.H.柯比 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;F01D5/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐晶;林森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了在CMC基材上使用的涂层体系，所述涂层体系可以包括：所述CMC基材表面上的连接涂层；所述连接涂层上的第一稀土硅酸盐涂层；所述至少一个稀土硅酸盐层上的增强稀土硅酸盐基质的牺牲涂层；所述牺牲涂层上的第二稀土硅酸盐涂层；和所述第二稀土硅酸盐涂层上的外层。所述第一稀土硅酸盐涂层包含至少一个稀土硅酸盐层，且所述第二稀土硅酸盐涂层包含至少一个稀土硅酸盐层。所述牺牲涂层具有约4密耳‑约40密耳的厚度。还提供了用于将牺牲涂层带式沉积在CMC基材上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 环境 阻挡 涂层 沉积 cmc 叶尖 方法 | ||
【主权项】：
CMC基材上的涂层体系，所述涂层体系包括：所述CMC基材表面上的连接涂层；所述连接涂层上的第一稀土硅酸盐涂层，其中所述第一稀土硅酸盐涂层包含至少一个稀土硅酸盐层；所述至少一个稀土硅酸盐层上的增强稀土硅酸盐基质的牺牲涂层，其中所述牺牲涂层具有约4密耳‑约40密耳的厚度；所述牺牲涂层上的第二稀土硅酸盐涂层，其中所述第二稀土硅酸盐涂层包含至少一个稀土硅酸盐层；和所述第二稀土硅酸盐涂层上的外层。
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