[发明专利]一种金刚石热沉GaN基LED的制作方法有效
| 申请号： | 201610172206.1 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN105826434B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王进军 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/64 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金刚石热沉GaN基LED制作方法，在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料，形成蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si的三层结构，加热所述蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si三层结构去除蓝宝石衬底，将GaN基LED外延材料和金刚石热沉片低温键合、固化得到金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构；去除所述金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构中的Si临时支撑材料，ICP刻蚀GaN基LED外延材料，进行器件隔离，制作器件电极；本发明采用高热导率的金刚石做热沉，散热效果优于传统的衬底，键合方法属于低温工作，有效避免了传统的高温键合对材料性能的损伤，制作方法工艺简单、容易实现，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 gan led 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石热沉GaN基LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底(1)上MOCVD生长GaN基LED外延材料；(2)取一块具有(111)表面取向的Si晶片作为Si临时支撑材料(6)，用粘合剂将所述Si临时支撑材料(6)粘到所述GaN基LED外延材料上，形成蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si的三层结构；(3)用脉冲激光从蓝宝石一面扫描整个样品；加热所述蓝宝石/GaN基LED外延材料/Si三层结构去除蓝宝石衬底，得到GaN基LED外延材料/Si两层结构；(4)刻蚀、抛光暴露的GaN基LED外延材料，抛光到纳米级表面粗糙度，为晶片键合做准备；同时取一块金刚石热沉片(8)进行抛光；(5)在所述暴露的GaN基LED外延材料和金刚石热沉片(8)表面淀积一薄层键合粘合剂，将两部分紧密接触进行低温键合、固化得到金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构；(6)去除所述金刚石/GaN基LED外延材料/Si三层结构中的Si临时支撑材料(6)，得到金刚石/GaN基LED外延材料两层结构；(7)ICP刻蚀金刚石/GaN基LED外延材料两层结构，进行器件隔离；(8)制作器件电极。
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