[发明专利]一种用于改善气敏传感器性能的无机-有机复合气敏传感器的真空原位复合方法

摘要

本发明涉及一种用于改善气敏传感器性能的无机‑有机复合气敏传感器的真空原位复合方法，通过在高真空中对氧化物半导体多孔纳米固体进行热处理，彻底去除样品表面吸附的气体分子及其他杂质，以便获得清洁的表面；随后，在保持高真空状态情况下，引入有机半导体溶液浸泡氧化物半导体多孔纳米固体，使有机半导体分子与清洁的固体表面充分接触和成键，在对表面进行修饰的同时形成无机‑有机复合半导体气敏材料。本发明研制的无机‑有机复合型气敏传感器在化工生产、环境污染监测以及自动控制等领域有重要的应用价值。

主权项

1.一种用于改善气敏传感器性能的无机‑有机复合气敏传感器的真空原位复合方法，包括步骤如下：(1)将金属氧化物半导体纳米颗粒制成金属氧化物多孔纳米固体，备用；(2)将步骤(1)制得的金属氧化物多孔纳米固体，在真空条件下100‑300℃热处理1‑3小时；保持真空状态不变，自然冷却到室温，得表面清洁的金属氧化物多孔纳米固体；(3)在真空状态下，保持室温和避光条件，将步骤(2)制得的表面清洁的金属氧化物多孔纳米固体置于有机半导体溶液中浸泡6～36小时；然后，将金属氧化物多孔纳米固体从有机半导体溶液中分离出来，得金属氧化物‑有机半导体复合多孔纳米固体；(4)将步骤(3)制得的金属氧化物‑有机半导体复合多孔纳米固体在真空条件下100‑200℃退火处理0.5‑2小时，然后在金属氧化物‑有机半导体复合多孔纳米固体表面镀制上金属电极，即得无机‑有机复合气敏传感器。