[发明专利]一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610173297.0 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105624792B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘广政;杨冠卿;于天;徐波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B29/64;C30B25/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法，方法首先对硅衬底进行脱氧及退火，然后分为四个温度在硅衬底上依次形成GaAs低温成核层、GaAs中温缓冲层、GaAs中温缓冲层及高温GaAs外延层，最后降温得到硅基GaAs薄膜。本发明制得的硅基GaAs薄膜具有表面光亮、起伏小及缺陷少的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基GaAs单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S1，对一硅衬底进行脱氧处理及退火处理；S2，降低所述硅衬底的温度至第一温度250℃～350℃，然后，采用分子束外延法在所述硅衬底表面生长一层GaAs，以形成第一GaAs层；S3，升高所述硅衬底的温度至第二温度350℃～450℃，然后，采用分子束外延法在所述第一GaAs层上生长一层GaAs，以形成第二GaAs层；S4，升高所述硅衬底的温度至第三温度450℃～550℃，然后，采用分子束外延法在所述第二GaAs层上生长一层GaAs，以形成第三GaAs层；S5，升高所述硅衬底的温度至第四温度550℃～620℃，然后，采用分子束外延法在所述第三GaAs层上生长一层GaAs，以形成第四GaAs层；S6，降低所述硅衬底的温度至常温，得到硅基GaAs单晶薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610173297.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗癌症的中药
- 下一篇：一种祛寒拔毒化瘀膏药
