[发明专利]具有嵌埋式热电装置的玻璃中介层有效
| 申请号： | 201610173298.5 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106024735B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | J·P·甘比诺;R·S·格拉夫;S·曼达尔;D·J·罗素 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及具有嵌埋式热电装置的玻璃中介层。大体上是关于集成电路芯片封装，并且更具体地说，乃关于在导电通孔旁边形成具有一或多个嵌埋式帕耳帖装置的玻璃中介层的结构及方法，用以有助于使热量从多维芯片封装中的一或多个集成电路芯片通过玻璃中介层散逸并进入有机载体，其中热量可散逸到下层基板。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌埋式 热电 装置 玻璃 中介 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有嵌埋式帕耳帖装置的集成电路芯片封裝结构的方法，其包含：在玻璃中介层中形成包括第一通孔、第二通孔及第三通孔的通孔，是经由蚀刻该玻璃中介层以形成仅延伸贯穿该玻璃中介层的上部分的开口，使得该通孔具有通过该玻璃中介层的下部分而与该玻璃中介层的底部表面背离的底部；在该玻璃中介层上及该通孔中形成顶部晶种层；在该第一通孔中沉积n型半导体材料；在该第二通孔中沉积p型半导体材料；以及在该第三通孔中及该第一通孔与该第二通孔上方沉积导电材料，其中，该导电材料直接接触于该第一通孔中该n型半导体材料的上表面及直接接触于该第二通孔中该p型半导体材料的上表面。
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