[发明专利]真空管闪存结构及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种真空管闪存结构及其制造方法。包括在沟道中形成真空，其中，栅介电层是使用电浆在氧气、氮气、N2O或NH3的环境下进行栅极层的热氧化或是热氮化过程所生成。本发明所揭露的结构，能够使形成的组件具有更好的程序设计、擦除速度及储存时间，同样还能够获得优越的栅极控制能力及极小的栅极漏电流。

主权项

一种真空管闪存结构的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成第一介电层、源极层、第二介电层、栅极层和硬掩膜层；图案化处理所述第二介电层、栅极层和硬掩膜层形成栅极结构；修剪栅极结构中的第二介电层和栅极层，使剩余第二介电层和栅极层的宽度小于硬掩膜层；进行热处理以在所述栅极层的侧壁上形成栅介电层；沉积漏极层；在整个衬底上沉积层间介电层并进行平坦化以在所述栅极中形成真空。