[发明专利]一种可有效解决泡生法晶体开裂的工艺方法

摘要

本发明公开了一种可有效解决泡生法晶体开裂的工艺方法，具体包括晶体生长过程中防止晶体底部大面积粘埚及生长结束后脱埚的工艺方法，本发明通过在等径生长后期对提拉速率、降温速率的控制，使得晶体长速变缓，接着通过调节电压值和操控提拉杆，使得晶体与坩埚壁相脱离。本发明可有效防止生长晶体底部大面积粘埚的发生，并且晶体直径一致性好，由于在冷却过程中晶体与坩埚壁分离，因而减小了晶体的热应力，大大降低了晶体开裂的概率，提高晶体的成品率和取材率，有利于减少生长周期，降低生产成本。

主权项

一种可有效解决泡生法晶体开裂的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：①根据预设的投料量将氧化铝原料装入泡生炉坩埚内，在提拉杆上安装好籽晶，抽真空，启动加热系统使原料熔化；待原料完全融化后，寻找合适的引晶温度开始引晶，引晶完成后按照泡生法工艺设定提拉速率和降温速率，使晶体进入放肩、等径生长阶段；②当晶体生长至步骤①中投料量的1/2‑3/4后，在步骤①的基础上将提拉速率升高5‑8倍，降温速率减小至原先的1/4‑3/4，使得晶体的生长速度降低至等径生长阶段长速的1/3‑3/4，进行等径收尾生长；③当晶体重量达到步骤①中的投料量后，在步骤②的基础上，继续升高提拉速率5‑8倍，增大降温速率5‑7倍，直至晶体重量超过投料量的10‑30kg，确保晶体生长完毕后，停止提拉；④将电压升高至步骤①中引晶完成时的电压值±200mv，与此同时缓慢上提提拉杆直到晶体质量稳定在投料量±2kg，停止提拉，检查晶体是否与坩埚壁间存有间隙；⑤将电压恢复至步骤③结束时的电压值，观察20‑90min，确定晶体没有出现二次粘埚，晶体脱埚成功进入降温阶段。