[发明专利]一种过渡金属硫属化合物二维材料图形化生长的方法

摘要

一种过渡金属硫属化合物二维材料图形化生长的方法。通过引入图形化金属阵列，在Si基底的金属点位上生长出结构完整的二维过渡金属硫属化合物材料。该方法具有操作简单、产量高、重复性强的优点，对于工业化生产尺寸可控、厚度可调的大面积图形化过渡金属硫属化合物二维材料和新型光电子器件的开发具有重要意义。

主权项

一种过渡金属硫属化合物二维材料图形化生长的方法，其特征在于利用化学气相沉积技术，采用过渡金属氧化物和S（Se）在高温低压的环境下发生氧化还原反应，在有金属阵列的基片上，沿阵列生长过渡金属硫属化合物二维材料；反应物过渡金属氧化物和S（Se）按特定的距离放置于腔体不同位置处，反应过程中，在腔体内通入惰性气体为载气，通入H₂或H₂S（H₂Se）为还原气体。