[发明专利]声表面波滤波器有效

专利信息
申请号: 201610176412.X 申请日: 2016-03-24
公开(公告)号: CN106026962B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 中桥宪彦;宫本幸治 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/145;H03H9/64
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李逸雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种与通带的宽带化对应的低损耗的声表面波滤波器。本发明所涉及的梯型的声表面波滤波器(10)利用LiTaO3压电基板中传播的漏波,具备形成在该压电基板上的IDT电极,具有由该IDT电极构成的串联谐振器以及并联谐振器,表示通带的带宽的相对频带是2.5%以上,并联谐振器的体波辐射的截止频率比通带更处于高频侧。
搜索关键词: 表面波 滤波器
【主权项】:
1.一种声表面波滤波器,其是利用LiTaO3压电基板中传播的漏波,具备形成在所述LiTaO3压电基板上的IDT电极,且具有由该IDT电极构成的串联谐振器以及多个并联谐振器的梯型的声表面波滤波器,其中,所述串联谐振器连接于输入端子与输出端子之间,多个所述并联谐振器分别连接于所述输入端子、所述串联谐振器及所述输出端子的各连接点与接地之间,或者多个所述并联谐振器分别连接于相邻的所述串联谐振器的各连接点与接地之间,表示所述声表面波滤波器的通带的带宽的相对频带是2.5%以上,多个所述并联谐振器之中最接近于所述输入端子的并联谐振器的体波辐射增加的截止频率比所述通带更处于高频侧,最接近于所述输入端子的并联谐振器的所述IDT电极的膜厚相对于构成所述IDT电极的多个电极指的反复间距的比例即标准化膜厚是9.0%以上且13.0%以下,并且,所述多个电极指的线宽相对于所述多个电极指的所述线宽与空间宽度的相加值的比例即占空比是0.3以上且0.8以下。
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