[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610176485.9 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106024887B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | K·巴拉克里施南;程慷果;P·哈舍米;A·雷兹奈斯克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;辛鸣 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请的各实施例涉及半导体器件及其形成方法。本发明的实施例包括一种用于制作纳米带晶体管器件的方法和所得结构。提供了一种纳米带晶体管器件，该纳米带晶体管器件包括衬底、纳米带沟道、在纳米带沟道的中心中的芯区域、在纳米带沟道周围形成的栅极、在栅极的每个侧壁上形成的间隔物以及与每个间隔物相邻外延地形成的源极和漏极区域。有选择地蚀刻在纳米带沟道的中心中的芯区域。在纳米带沟道的暴露的部分上沉积电介质材料。在纳米带沟道的芯内的电介质材料上和与纳米带晶体管器件相邻地在衬底上形成反向偏置控制区域。在反向偏置控制区域中形成金属触点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上方并且在芯周围形成的纳米带沟道；在所述纳米带沟道周围形成的栅极；在所述栅极的至少一个侧壁上横向地形成的一个或者多个间隔物；在所述纳米带沟道的至少所述芯中形成的反向偏置控制区域；在所述纳米带沟道与所述反向偏置控制区域之间形成的电介质层；与所述一个或者多个间隔物中的每个间隔物相邻地在所述纳米带沟道周围外延地围绕形成的源极/漏极区域；以及在所述反向偏置控制区域中形成的金属触点，其中所述金属触点用来向所述反向偏置控制区域施加电压。
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