[发明专利]钨膜的成膜方法有效
申请号: | 201610176793.1 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN106011777B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 铃木健二;前川浩治;堀田隼史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14;C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及钨膜的成膜方法。[课题]即使进行器件的微细化、复杂化,通过使用氯化钨气体作为原料气体的ALD法,也能够以良好的嵌入性形成具有良好的密合性的钨膜。[解决手段]具备如下工序:主钨膜成膜工序:以间隔腔室内的吹扫的方式依次向腔室内供给氯化钨气体和还原气体来形成主钨膜;以及、初始钨膜成膜工序:先于主钨膜成膜工序,使氯化钨气体的供给量少于主钨膜成膜工序,以间隔吹扫气体的供给的方式依次向腔室内供给氯化钨气体和还原气体,或者同时向腔室内供给氯化钨气体和还原气体,从而在基底膜上形成初始钨膜。 | ||
搜索关键词: | 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钨膜的成膜方法,其特征在于,其为使用作为钨原料气体的氯化钨气体和还原氯化钨气体的还原气体对被处理基板形成钨膜的成膜方法,所述被处理基板配置于保持在减压气氛下的腔室内且表面形成有基底膜,所述成膜方法具备如下工序:主钨膜成膜工序:以间隔所述腔室内的吹扫的方式,依次向所述腔室内供给所述氯化钨气体和所述还原气体来形成主钨膜;以及初始钨膜成膜工序:先于所述主钨膜成膜工序,使所述氯化钨气体的单位时间供给量少于所述主钨膜成膜工序,以间隔吹扫气体的供给的方式依次向所述腔室内供给所述氯化钨气体和所述还原气体,或者同时向所述腔室内供给所述氯化钨气体和所述还原气体,从而在所述基底膜上形成初始钨膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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