[发明专利]一种NiZnCu铁氧体材料及其制备方法有效
申请号: | 201610176849.3 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105837195B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 梁迪飞;董从根;李维佳;陈志科;谢建良;邓龙江 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01F1/34 | 分类号: | H01F1/34;C04B35/26;C04B35/622 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于电子材料领域,涉及到一种NiZnCu铁氧体材料及其制备方法。该NiZnCu铁氧体材料其配方为NixZnyCu1‑x‑yFe2‑aO3‑3a/2,0.24≤x≤0.25,0.58≤y≤0.61,0.02≤a≤0.03,其原料主成份为NiO、ZnO、CuO和Fe2O3,无掺杂;在1MHz处,磁环复变磁导率的实部μ′为1300~1400,虚部μ″为150~160,初始磁导率μi为1500~1750,截止频率Fr为2.9~4.15MHz。本发明提供的NiZnCu铁氧体材料,磁导率高,损耗低,可应用于无线充电的隔磁片,配方无掺杂。 | ||
搜索关键词: | 一种 nizncu 铁氧体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种NiZnCu铁氧体材料,其特征在于:配方为NixZnyCu1‑x‑yFe2‑aO3‑3a/2,0.24≤x≤0.25,0.58≤y≤0.61,0.02≤a≤0.03,其原料主成份为NiO、ZnO、CuO和Fe2O3,无掺杂;在1MHz处,磁环复变磁导率的实部μ′为1300~1400,虚部μ″为150~160,初始磁导率μi为1500~1750,截止频率Fr为2.9~4.15MHz。
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