[发明专利]晶圆级光电子器件封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201610177006.5 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106057733A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 斯里·加尼许·A·塔伦玛琳甘 | 申请（专利权）人： | 英特希尔美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/784 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中描述用于制造复数个光电子器件之方法，及由此等方法所得之该等光电子器件。一个此方法包括对一晶圆执行硅穿孔(TSV)处理，该晶圆包括多个光侦测器传感器区，藉此形成多个通孔，且接着隆起及镀制该等通孔及执行晶圆背面金属化。其后，将多个光源晶粒附着至该晶圆的一顶表面，且接着模制一透光材料以在其中囊封该等光侦测器传感器区及光传感器晶粒。另外，制造包括不透明光学串音屏障的不透明屏障。此外，焊球或其他电连接器附着至该晶圆的底部。最终切割该晶圆以将该晶圆分离成多个光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 光电子 器件 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造多个光电子器件的方法，其包含：(a)对晶圆执行硅穿孔(TSV)处理，该晶圆包括多个光侦测器传感器区，藉此形成多个通孔；(b)在执行该硅穿孔处理之后，隆起及镀制该通孔及执行晶圆背面金属化；(c)将多个光源晶粒中的每一者附着至该晶圆的顶表面；及(d)在该(b)隆起及镀制该通孔及执行晶圆背面金属化之后，且在该(c)将该多个光源晶粒附着至该晶圆的该顶表面之后，模制透光材料以将该光侦测器传感器区及该光传感器晶粒囊封于该透光材料中；(e)制造包括不透明光学串音屏障的不透明屏障；(f)将焊球或其他电连接器附着至该晶圆的底部；及(g)切割该晶圆以将该晶圆分离成多个光电子器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
