[发明专利]基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法

摘要

基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，本发明涉及FLASH替代EEPROM的数据存储方法。本发明是为了解决现有低成本汽车组合仪表的存储器成本高和存储器数据线易受干扰导致数据错误或丢失的问题。本发明首先将待保存的16进制数据依次写入Bank B of Flash A的SA1空间内，在SA1空间写满后将下一个待保存的16进制数据向SA2内写入，同时将SA1的空间擦除；SA2空间写满后将下一个待保存的16进制数据向SA1内写入，并将SA2空间数据擦除。如此交替将数据写入FLASH分区，FLASH的可擦写次数10万次，满足存储使用要求。本发明应用于数据存储领域。

主权项

基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于，所述基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法包括以下步骤：步骤一：将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA1空间内，写入时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA1空间已写满，执行步骤二；步骤二：将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA2空间内，将已写入SA1空间的全部数据擦除，写入SA2空间时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA2空间已写满，执行步骤三；步骤三：重新执行步骤一，并将已写入SA2空间的全部数据擦除；步骤四：数据校验；将待写入数据写入存储器后，将数据读出，与写入存储器前的数据进行比较，若一致，认为校验成功，返回当前步骤；若不一致，则校验失败，重新将待写入数据写入存储器，执行步骤一；若连续3次校验均失败，进入故障处理模式，发出错误提醒。