[发明专利]电气过应力记录和/或采集有效
| 申请号： | 201610177529.X | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024778B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | A·J·奥唐奈;D·埃亨;J·A·塞尔瑟多;D·J·克拉克;J·A·克利里;P·M·迈克古尼斯;A·C·奥格雷迪 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体集团 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60;H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 百慕大群岛(*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开文本的方面涉及检测及记录与诸如静电释放(ESD)事件之类的电气过应力(EOS)事件关联的信息。例如，在一个实施例中，设备包括电气过应力保护装置、配置成检测EOS事件的发生的检测电路、以及配置成存储表示EOS事件的信息的存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 电气 应力 记录 采集 | ||
【主权项】：
1.一种电气过应力保护设备，包括：电气过应力感应装置；电耦接至电气过应力感应装置的检测电路，检测电路被配置为检测电气过应力事件的发生；电气过应力保护装置，被配置为对电气过应力感应装置提供电气过应力保护，其中电气过应力保护装置与电气过应力感应装置并联；以及存储器，被配置为存储表示检测电路检测到的电气过应力事件的信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
