[发明专利]基板液体处理装置和基板液体处理方法有效
| 申请号： | 201610177762.8 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024615B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 佐藤秀明;永井高志;原大海 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有：液体处理部，其利用被稀释液稀释后的处理液对基板进行处理；处理液供给部，其供给所述处理液；稀释液供给部，其供给用于稀释所述处理液的稀释液；浓度测量部，其测量被所述稀释液稀释后的处理液的浓度；以及控制部，其根据由所述浓度测量部测量出的被所述稀释液稀释后的处理液的浓度来控制所述处理液供给部和所述稀释液供给部，其中，在利用所述液体处理部对所述基板进行处理过程中判断为利用所述浓度测量部无法正常地测量所述处理液的浓度的情况下，使所述处理液和所述稀释液的供给状态维持预先决定的供给状态，并使利用所述液体处理部对所述基板进行的处理继续。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板液体处理装置，其特征在于，具有：液体处理部，其利用被稀释液稀释后的处理液对基板进行处理；处理液供给部，其供给所述处理液；稀释液供给部，其供给用于稀释所述处理液的稀释液；浓度测量部，其测量被所述稀释液稀释后的处理液的浓度；以及控制部，其根据由所述浓度测量部测量出的被所述稀释液稀释后的处理液的浓度，来控制所述处理液供给部和所述稀释液供给部，其中，所述控制部在由所述液体处理部对所述基板进行处理的过程中判断为利用所述浓度测量部无法正常地测量所述处理液的浓度的情况下，控制所述处理液供给部和所述稀释液供给部，使得所述处理液和所述稀释液的供给状态维持预先决定的供给状态，并使由所述液体处理部对所述基板进行的处理继续。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
