[发明专利]红光发光器件和照明系统有效
| 申请号： | 201610177799.0 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106025021B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 高恩彬;金镛准;洪起勇;郑炳学 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种红光发光器件以及照明系统。另外本申请还公开了制作发光器件的方法以及发光器件封装。红光发光器件包括：第一导电型第一半导体层；有源层，设置在第一导电型第一半导体层上并且包括量子阱和量子势垒；第二导电型第二半导体层，位于有源层上；第二导电型第三半导体层，位于第二导电型第二半导体层上；第二导电型第四半导体层，位于第二导电型第三半导体层上；以及第二导电型第五半导体层，位于第二导电型第四半导体层上。第二导电型第三半导体层和第二导电型第四半导体层包括基于AlGaInP的半导体层，第二导电型第四半导体层的Al成分低于第二导电型第三半导体层的Al成分。根据本申请，能够克服EQE下降。 | ||
| 搜索关键词： | 红光 发光 器件 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种红光发光器件，包括：第一导电型第一半导体层；有源层，位于所述第一导电型第一半导体层上并且所述有源层包括量子阱和量子势垒；第二导电型第二半导体层，位于所述有源层上；第二导电型第三半导体层，位于所述第二导电型第二半导体层上；第二导电型第四半导体层，位于所述第二导电型第三半导体层上；以及第二导电型第五半导体层，位于所述第二导电型第四半导体层上，其中所述第二导电型第三半导体层和所述第二导电型第四半导体层包括基于AlGaInP的半导体层，以及所述第二导电型第四半导体层的Al成分低于所述第二导电型第三半导体层的Al成分。
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