[发明专利]频率信号采集两种模式复用电路在审
| 申请号： | 201610177885.1 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105785121A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王晶;王大伟;李天放;黄明森;王钊 | 申请（专利权）人： | 航天科技控股集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R23/02 | 分类号： | G01R23/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 张宏威 |
| 地址： | 150060 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 频率信号采集两种模式复用电路，属于电路控制领域，本发明为解决现有CPU采集频率信号在电压采样和电阻采样两种模拟之间切换时，必须同时改变电路结构，增加了系统复杂性的问题。本发明包括PMOS晶体管P1、NPN三极管VT1、电阻R1～R8；电源VCC同时连接R3的一端和P1的源极；P1的栅极同时连接R3的另一端和VT1的集电极，VT1的基极连接R6和R8的一端，VT1的发射极连接R8的另一端，并接地；R6的另一端连接CPU控制端口；P1的漏极同时连接R1和R2的一端；R1的另一端同时连接R5的一端和R2的另一端，并连接模拟量输入端口；R5的另一端连接R7的一端，并连接AD采样端口；R7的另一端接地。 | ||
| 搜索关键词： | 频率 信号 采集 模式 用电 | ||
【主权项】：
频率信号采集两种模式复用电路，其特征在于，它包括PMOS晶体管P1、NPN三极管VT1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8；电源VCC同时连接电阻R3的一端和PMOS晶体管P1的源极；PMOS晶体管P1的源极和漏极之间反向并联二极管VD1；PMOS晶体管P1的栅极同时连接电阻R3的另一端和NPN三极管VT1的集电极，NPN三极管VT1的基极同时连接电阻R6的一端和电阻R8的一端，NPN三极管VT1的发射极连接电阻R8的另一端，并接地；电阻R6的另一端连接CPU控制端口；PMOS晶体管P1的漏极同时连接电阻R1的一端和电阻R2的一端；电阻R1的另一端同时连接电阻R5的一端和电阻R2的另一端，并连接模拟量输入端口；电阻R5的另一端连接电阻R7的一端，并连接AD采样端口；电阻R7的另一端接地。
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