[发明专利]氮化镓晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种氮化镓晶体管的制备方法，通过在自上而下包含氮化铝镓层、氮化镓层、硅衬底层的半导体衬底上形成第一介质层；并在第一介质层中形成源极接触孔和漏极接触孔；在源极接触孔和漏极接触孔中形成第二介质层，以使第二介质层完全覆盖源极接触孔和漏极接触孔，形成晶体管的源极和漏极；并采用感应耦合等离子体刻蚀ICP对第一介质层以及预设厚度的氮化铝镓层进行刻蚀，形成栅极接触孔；在栅极接触孔内依次形成栅介质层、第三介质层，形成晶体管的栅极。该方法优化了晶体管器件结构，减小了栅极电阻，进而减小了氮化镓晶体管的导通电阻，从而获得高性能的氮化镓晶体管，提高氮化镓半导体器件的可靠性。

主权项

一种氮化镓晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一介质层；所述半导体衬底自上而下包含氮化铝镓层、氮化镓层、硅衬底层；在所述第一介质层中形成源极接触孔和漏极接触孔；在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中形成第二介质层，以使所述第二介质层完全覆盖所述源极接触孔和所述漏极接触孔，形成晶体管的源极和漏极；采用感应耦合等离子体刻蚀ICP对所述第一介质层以及预设厚度的所述氮化铝镓层进行刻蚀，形成栅极接触孔；在所述栅极接触孔内依次形成栅介质层、第三介质层，形成晶体管的栅极。