[发明专利]氧化锆栅介质晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化锆栅介质晶体管的制备方法，通过在半导体衬底上表面沉积第一介质，形成第一介质层；对第一介质层刻蚀，形成源极、漏极的接触孔，再沉积第二介质，形成第二介质层；对第二介质层光刻、刻蚀，去除源极、漏极接触孔之外区域的第二介质，以使第一介质层部分上表面外露，形成第一窗口；以氮气作为反应气体，对形成欧姆接触电极之后的整个半导体衬底进行退火处理；在第一窗口，对第一介质层以及预设厚度的氮化铝镓层进行刻蚀，形成栅极接触孔；在栅极接触孔内淀积氧化锆，形成氧化锆层，其厚度小于栅极接触孔的深度；在栅极接触孔内沉积第三介质，以使第三介质完全覆盖栅极接触孔，形成晶体管的栅极。

主权项

一种氧化锆栅介质晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上表面沉积第一介质，形成第一介质层；所述半导体衬底自上而下包含氮化铝镓层、氮化镓层、硅衬底层；在所述第一介质层上进行刻蚀，形成源极接触孔和漏极接触孔；在所述第一介质层表面、所述源极接触孔内、所述漏极接触孔内，沉积第二介质，以使所述第二介质完全覆盖所述源极接触孔、所述漏极接触孔，并在所述第一介质层上形成第二介质层；对所述第二介质层进行光刻、刻蚀，去除所述源极接触孔、所述漏极接触孔之外区域的所述第二介质，以使所述第一介质层的部分上表面外露，形成第一窗口；被保留的所述第二介质的宽度大于等于所述源极接触孔以及所述漏极接触孔区域的宽度，所述被保留的所述第二介质形成欧姆接触电极；以氮气作为反应气体，对所述形成欧姆接触电极之后的整个半导体衬底进行退火处理；在所述第一窗口，对所述第一介质层以及预设厚度的所述氮化铝镓层进行刻蚀，形成栅极接触孔；在所述栅极接触孔内淀积栅介质氧化锆，形成氧化锆层；所述氧化锆层的厚度小于所述栅极接触孔的深度；在所述栅极接触孔内沉积第三介质，以使所述第三介质完全覆盖所述栅极接触孔，形成晶体管的栅极。