[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201610178238.2 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230713A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及制造方法，包括依次叠加在衬底上的GaN层、AlGaN层、以及开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层；栅极接触孔位于源极接触孔和漏极接触孔之间；AlGaN层设置有与栅极接触孔连通的凹槽，凹槽位于栅极接触孔的下方且靠近源极接触孔的一侧，凹槽的宽度小于栅极接触孔宽度的一半，凹槽的深度小于AlGaN层的厚度；源极和漏极分别包括填充源极接触孔和漏极接触孔的第一金属层，栅极包括填充凹槽和栅极接触孔的第二金属层。通过本发明提供的方案，能够优化器件的正向导通特性和反向耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的氮化镓GaN层、位于所述GaN层上的氮化镓铝AlGaN层、开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层、栅极、源极、以及漏极；所述介质层位于AlGaN层的表面上，所述栅极接触孔位于所述源极接触孔和所述漏极接触孔之间；所述AlGaN层设置有与所述栅极接触孔连通的凹槽，所述凹槽位于所述栅极接触孔的下方且靠近所述源极接触孔的一侧，所述凹槽的宽度小于所述栅极接触孔宽度的一半，所述凹槽的深度小于所述AlGaN层的厚度；所述源极和所述漏极分别包括填充所述源极接触孔和所述漏极接触孔的第一金属层，所述栅极包括填充所述凹槽和所述栅极接触孔的第二金属层。
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