[发明专利]氮化镓晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201610178252.2 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230716A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 孙明子,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓晶体管的制备方法，该方法包括在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和第一PETEOS氧化层；在沉积第一PETEOS氧化层后形成的图案上制备欧姆接触电极；在制备欧姆接触电极后形成的图案上制备栅极和栅场板；在制备栅极和栅场板后形成的图案上沉积第二PETEOS氧化层；在沉积第二PETEOS氧化层后形成的图案上制备源场板。该方法在器件上制备栅场板的同时制备源场板，能够调整电场分布，降低栅极边缘电场密度，提高器件的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在所述铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和第一PETEOS氧化层；在沉积所述第一PETEOS氧化层后形成的图案上制备欧姆接触电极；在制备欧姆接触电极后形成的图案上制备栅极和栅场板；在制备栅极和栅场板后形成的图案上沉积第二PETEOS氧化层；在沉积第二PETEOS氧化层后形成的图案上制备源场板。
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