[发明专利]氮化镓晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201610178256.0 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230717A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/28;H01L21/324;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓晶体管的制造方法，该方法包括在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上沉积氮化硅介质层；制造氮化镓晶体管的欧姆接触电极；对制造欧姆接触电极后的氮化镓晶体管进行第一退火处理；制造氮化镓晶体管的栅极；对制造栅极后的氮化镓晶体管进行第二退火处理。移除了栅极金属和铝镓氮界面附近的浅陷阱，减少了器件的栅极漏电现象，改善了器件的击穿电压，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在所述铝镓氮势垒层上沉积氮化硅介质层；制造所述氮化镓晶体管的欧姆接触电极；对制造所述欧姆接触电极后的氮化镓晶体管进行第一退火处理；制造所述氮化镓晶体管的栅极；对制造所述栅极后的氮化镓晶体管进行第二退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610178256.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氮化镓晶体管的制备方法
- 下一篇：半导体器件及制造方法
- 同类专利
- 专利分类
