[发明专利]一种Si3

摘要

一种Si3N4‑TiZrN2‑TiN复合导电陶瓷，合成该复合导电陶瓷的原料包括：Si3N4、ZrN、TiN、Y2O3、La2O3、AlN；该复合导电陶瓷的最终产物里包括Si3N4相、TiN相和金属氮化物的固溶体TiZrN2相。其中，AlN的加入避免了常规方式中加入Al2O3所引起的挥发，并且加入AlN会使最终产品的表面比加入Al2O3光滑；本发明名还给出一种Si3N4‑TiZrN2‑TiN复合导电陶瓷的液相烧结法。本发明有益效果如下：1.电阻率低；本发明的复合导电陶瓷用SX1944四探针测试仪测试样品电阻为10‑2Ω·cm量级，远远低于同类产品。2.机械强度高；本发明的复合导电陶瓷用载荷为10kg，加压时间为5s的条件测量样品的维氏硬度为14.7GPa；利用硬度压痕四角处扩展的裂纹长度计算样品的断裂韧性为7.8MPa.m0.5保持了氮化硅陶瓷原有的强度和硬度。

主权项

1.一种Si3N4-TiZrN2-TiN复合导电陶瓷，其特征在于：合成该复合导电陶瓷的原料包括：Si3N4、ZrN、TiN、Y2O3、La2O3、AlN；该复合导电陶瓷的最终产物里包括Si3N4相、TiN相和金属氮化物的固溶体TiZrN2相；Si3N4∶TiN∶Y2O3∶La2O3∶AlN＝(9～11)∶(5.4～6.6)∶(0.8～1.2)∶(0.8～1.2)∶(1.3～1.66)，ZrN的加入量为8～15w.t％。