[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201610178582.1 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN106024815B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 木村雅俊 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种半导体器件。在具有在每个像素中在预定方向上并置的两个光电二极管并通过执行分割曝光、亦即通过多次曝光进行的整个芯片的曝光处理而形成的固态图像传感器中,改善图像质量并增加自动聚焦速度。提供了一种固态图像传感器,其具有带有第一区的第一曝光区和带有第二区的第二曝光区。它们在第一和第二区之间的第三区中相互重叠。在形成于第三区中的像素中,通过用于第一曝光区的掩模形成的光电二极管被置于比通过用于第二曝光区的掩模形成的另一光电二极管更接近第二区侧的位置处。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种具有固态图像传感器的半导体器件,包括:半导体基板,所述半导体基板具有沿着所述半导体基板的主表面在第一方向上连续地布置的第一区和第二区以及在所述第一区和所述第二区之间延伸的第三区;多个第一像素,所述多个第一像素在所述第一区中在所述第一方向和正交于所述第一方向的第二方向上以矩阵形式并置;多个第二像素,所述多个第二像素在所述第二区中在所述第一方向和所述第二方向上以矩阵形式并置;多个第三像素,所述多个第三像素形成在所述第三区中;以及形成在所述半导体基板的所述主表面中的多个第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管和第四光电二极管,其中,所述第一像素每个都具有在所述第一方向上依次放置的所述第一光电二极管和所述第二光电二极管,其中,所述第二像素每个都具有在所述第一方向上依次放置的所述第三光电二极管和所述第四光电二极管,其中,在所述第一方向上与所述第一像素和所述第二像素并置的所述第三像素中,布置有所述第二光电二极管和所述第三光电二极管,其中,在平面图中,所述第三光电二极管和所述第四光电二极管在一个方向上从所述第一光电二极管和所述第二光电二极管偏离,并且其中,在所述第三像素中的每个中,所述第二光电二极管被置于比所述第三光电二极管更接近所述第二区的位置处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的