[发明专利]一种对空间非磁化金属碎片消旋的交变磁场的方法有效

专利信息
申请号: 201610178723.X 申请日: 2016-03-25
公开(公告)号: CN105717976B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 骆光照;徐永强;孙楚昕;宋受俊;岳晓奎 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G05F7/00 分类号: G05F7/00;B64G4/00
代理公司: 西北工业大学专利中心61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种对空间非磁化金属碎片消旋的交变磁场的方法,是一种在旋转的非磁化金属碎片外垂直于旋转轴的平面上设置空间上相互正交的交变磁场,利用在金属导体内部产生的涡流效应,与外部相关磁场作用而形成消旋转矩的磁场设置方法。本发明方法同现有技术相比具有以下优点在分析涡流转矩产生实质的基础上,改进了涡流转矩产生的方式,使其由运动导体切割磁力线的单一方式转变为运动导体与变化的磁场共同作用产生涡流转矩的复合方式,提出了消旋转矩的磁场设置条件,提高了能量传递的效率。
搜索关键词: 一种 空间 磁化 金属 碎片 磁场 方法
【主权项】:
一种对空间非磁化金属碎片消旋的交变磁场的方法,其特征在于:利用两个在空间上正交的交变磁场与在磁场中运动的非磁化金属碎片相互作用,满足条件的两个交变磁场在非磁化金属碎片内部感应出涡流并产生消旋转矩,消旋步骤如下:步骤1:在与非磁化金属碎片的旋转主轴垂直的平面内,以碎片旋转主轴通过点为原点,选择任意两个相互垂直的方向为x轴和y轴,在x轴和y轴两个轴向方向施加磁场M和磁场N;磁场M的正方向为y轴负方向,磁场N的正方向的为x轴正方向;步骤2:确定消旋转矩的条件:磁场M具有变化的磁场强度H1,磁场N具有变化的磁场强度H2;情况1:当碎片逆时针旋转时:当磁场M的磁场强度H1沿y轴负方向增加,为且磁场N的磁场强度H2>0时,可产生消旋转矩;当磁场M的磁场强度H1沿y轴负方向减小,为且磁场N的磁场强度H2<0时,可产生消旋转矩;当磁场N的磁场强度H2沿x轴正方向减小,为且磁场M的磁场强度H1>0时,可产生消旋转矩;当磁场N的磁场强度H2沿x轴正方向增加,为且磁场M的磁场强度H1<0时,可产生消旋转矩;情况2:当碎片顺时针旋转时:当磁场M的磁场强度H1沿y轴负方向减小,为且磁场N的磁场强度H2>0时,可产生消旋转矩;当磁场M的磁场强度H1沿y轴负方向增加,为且磁场N的磁场强度H2<0时,可产生消旋转矩;当磁场N的磁场强度H2沿x轴正方向增加,为且磁场M的磁场强度H1>0时,可产生消旋转矩;当磁场N的磁场强度H2沿x轴正方向减小,为且磁场M的磁场强度H1<0时,可产生消旋转矩。
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