[发明专利]一种控制器在审
申请号: | 201610178879.8 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN105843700A | 公开(公告)日: | 2016-08-10 |
发明(设计)人: | 谢凯毅;谢元禄;张坤;刘璟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种控制器,所述控制器包括:坏块管理单元,用于获取坏块列表,将所述坏块列表存储至随机存储器RAM;坏块映射单元,利用坏块映射方法确定当前块Block的操作地址不在所述坏块列表中时,则确定所述当前块Block是好块;检错纠错单元,用于在所述控制器进行读写操作时,对读写数据进行检错纠错;其中,所述RAM输出ram_dout与及RAM地址ram_addr位于同一个时钟周期;如此,所述RAM输出ram_dout与及RAM地址ram_addr位于同一个时钟周期,所以可以在一个时钟周期内确定出坏块,进而提高了读写操作的速度;且所述检错纠错单元可以在数据长度为512字节中纠正出1位错,检测出2位错,提高了检错纠错效率,进一步确保了NAND FLASH芯片的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 控制器 | ||
【主权项】:
一种控制器,其特征在于,所述控制器包括:坏块管理单元,用于获取坏块列表,将所述坏块列表存储至随机存储器RAM;坏块映射单元,利用坏块映射方法确定当前块Block的操作地址不在所述坏块列表中时,则确定所述当前块Block是好块;检错纠错单元ECC,用于在所述控制器进行读写操作时,对读写数据进行检错纠错;其中,所述RAM输出ram_dout与及RAM地址ram_addr位于同一个时钟周期。
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