[发明专利]半导体气敏传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610179398.9 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105866187B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘静;伊福廷;张天冲;王波;王雨婷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体气敏传感器及其制备方法。该半导体气敏传感器以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，包括：硅片；制备于硅片表面的大高宽比纳米柱阵列；包裹于大高宽比纳米柱阵列的气敏材料层；制备于气敏材料层表面的插指电极。该半导体气敏传感器的制备方法，包括：在硅片表面制备大高宽比纳米柱阵列；在硅纳米柱阵列表面包裹气敏材料层；在气敏材料层表面制备插指电极。本发明通过将大高宽比的纳米柱阵列以基底的形式应用于气敏传感器的表面，借助于硅表面的大高宽比柱状纳米结构，可以有效增加基底的表面比，提高单位面积上气敏材料量，增加气体分子的收集率与吸附性，从而实现提高气敏传感器性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体气敏传感器，其特征在于，该半导体气敏传感器以大高宽比硅纳米柱阵列为基底，包括：硅片；采用氯化铯纳米岛自组装方法制备于硅片表面的大高宽比纳米柱阵列；采用磁控溅射镀膜方法制备的包裹于大高宽比纳米柱阵列的气敏材料层；以及制备于气敏材料层表面的插指电极；其中，所述大高宽比纳米柱阵列中，纳米柱的直径是50‑1500纳米，高度为0.2‑3微米。
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